كل شيء
  • كل شيء
  • إدارة المنتجات
  • الأخبار والمعلومات
undefined
undefined
undefined
undefined
+
  • undefined
  • undefined
  • undefined
  • undefined

方案 لاختبار الضوئيات السيليكونية


خطة لاختبار الضوئيات السيليكونية

موجه نحو رقاقة بقطر 12 بوصة متطلبات الاختبار عالية الدقة

دعم نطاق درجات حرارة واسع للغاية: من -60℃ إلى 300℃ اختبار

يمكن تلبية التحقق من تصميم الدوائر المتكاملة، تحليل الأعطال، اختبارات الموثوقية على مستوى الرقاقة متطلبات صارمة للغاية




Category:

方案 لاختبار الضوئيات السيليكونية

  • الوصف
  • المعلمات
  • تنزيل
  • فيديو
  • اختبار الضوئيات السيليكونية | منصات التحقيق من سلسلة CP200/CP300

    نظرة عامة أساسية

    تُعدّ أنظمة CP200/CP300 من سيندونغباو أجهزة اختبار نصف أوتوماتيكية وآلية بالكامل مخصصة لرقائق الضوئيات السيليكونية وعلى مستوى الرقاقة، وتدمج وظائف اختبار متكاملة عالية الدقة تشمل التوصيل الضوئي‑الكهربائي، والقياسات الكهربائية‑الضوئية (IV/CV)، والترددات الراديوية، وقياس هول، وإصلاح الليزر. كما أنها تتوافق مع رقاقات وشرائح الضوئيات السيليكونية بمقاسات تتراوح بين 4 و12 بوصة، وتغطي بشكل شامل جميع مراحل الاختبار في مراحل البحث والتطوير، والتجريب المسبق، والإنتاج الضخم، سواء على مستوى CP أو FT.

    ال定位 والقيمة الأساسية للمنصة

    النموذج شبه الآلي CP200: مُصمَّم ليتوافق مع عمليات البحث والتطوير والاختبارات ذات الكميات الصغيرة، ويوفّر توازناً بين الدقة والتكلفة، كما يلبّي احتياجات اختبار أجهزة الضوئيات السيليكونية ذات الاقتران العمودي والاقتران الحافتي. وهو متوافق مع هياكل الاقتران بالحافة واقتران الوجه النهائي.

    النموذج CP300 ذي التشغيل الآلي الكامل: هو الطراز الرئيسي للإنتاج الضخم، ويتوافق مع رقائق بمقاسات 200 مم و300 مم، ويوفر تحميلًا وتفريغًا آليًا، ومحاذاة تلقائية، واختبارًا دفعيًا، مع معدل قياس خاطئ لا يتجاوز 1%، وزمن محاذاة واحد لا يزيد عن 15 ثانية.

    القيمة الجوهرية: تكامل وظائف قياس فقدان الإشارة البصرية، وفقدان الانعكاس، واختبار الاستقطاب؛ وقياس الخصائص الكهربائية (IV/CV) وخصائص هول؛ بالإضافة إلى اختبار الأداء الراديوي ووظيفة إصلاح الليزر، مما يقلل من وتيرة التبديل بين الأجهزة ويعزّز بشكل فعّال نسبة جودة المنتج وكفاءة الاختبار الشاملة.

    بنية الأجهزة العامة

    1. منصة حركة عالية الدقة

    يستخدم محورا X–Y محركات خطية للقيادة، بمسافة حركة 250×350 ملم، ودقة قياس تبلغ 0.1 ميكرومتر، مع دقة تحديد موقع ±0.5 ميكرومتر؛ أما محور Z فيزود بأربع مسارات دليلية مدمجة مع برغي لولبي عالي الدقة، بمسافة حركة 20 ملم، قابلة للضبط ضمن نطاق 0–5 ملم، مع استقرار جيد في الأحمال التشغيلية ودرجة عمودية لا تتجاوز 2 ميكرومتر؛ كما يُزوَّد محور θ بمحرك DD، ويتيح ضبط الزاوية ضمن نطاق ±10°، مع دقة زاوية تبلغ 0.00018°، فيما يدعم منصة رفع الرقاقة تعديلًا دقيقًا ضمن نطاق ±20°، بما يلبي متطلبات اختبار زوايا الاقتران بين شبكات الضوئيات السيليكونية وأسطح النهاية.

    2. وحدة اقتران ضوئي خاصة بالسيليكون

    يدعم نمطين من الاقتران: الاقتران العمودي بالشبكة الضوئية FC/APC، والاقتران بواجهة الحافة لصفوف الألياف أحادية النمط ومتعددة النمط؛ كما يضم منصة إزاحة ألياف بستة محاور تتيح محاذاة أوتوماتيكية بدقة دون الميكرومتر، مع خسارة اقتران نموذجية لا تتجاوز 0.5 ديسيبل؛ ويغطي طول الموجة المُختبَر نطاقًا يتراوح بين 1260 و1650 نانومتر، متوافقًا مع نطاقات C/L/S، ويمكن استخدامه مع مصادر ضوئية ذات طيف واسع أو ضيق، كما يتيح قياس مؤشرات بصرية متعددة مثل خسارة الإدراج، وخسارة الانعكاس، وخسارة الارتباط بالاستقطاب، ونسبة الإخماد، وتجانس الطاقة الضوئية.

    3. نظام اختبار كهربائي متكامل متعدد المعلمات

    تتيح اختبارات التيار المستمر للجهد/السعة، المدمجة مع مقياس المصدر ومقياس السعة والمقاومة، قياس تيارات بمستوى الفمّو أمبير وسعتات بمستوى البيكو فاراد، كما تتوافق مع أجهزة التعديل، وأجهزة الاستشعار، وأجهزة PIN ذات الألياف الضوئية؛ وتُمكن اختبارات هول من استخلاص معايير المواد مثل تركيز الحاملات، ونفاذية الحركة، ومقاومة اللوح المربعة؛ كما يشمل النظام مسبارًا لتردد الراديو بقدرة 40 غيغاهرتز، مما يتيح إجراء قياسات عرض النطاق الترددي للمُعدِّل، ومعاملات S، وتحليل مخطط العين لتقنيات PAM4/NRZ؛ بالإضافة إلى دمج وحدة ليزر بطول موجي 1064 نانومتر/532 نانومتر، ما يسمح بإصلاح عيوب الألياف الضوئية وتصحيح انحرافات الشبكات، وبالتالي رفع نسبة جودة المنتج النهائي للرقائق.

    اختبار تكوين التوسيع

    يضم الجهاز آليةً سداسية المحاور عالية الدقة من PI، إلى جانب حلٍّ لمسح الضوء عالي السرعة باستخدام السيراميك الكهرضغطية؛ كما يعتمد على حساسات سعوية فائقة الدقة من ميي، مما يضمن التحكم الدقيق في ارتفاع الاختبار؛ ويحتوي على خوارزمية مسح ضوئي متطورة ومُثبتة، وقد ثبتت صحة تكرارية الاختبار وموثوقية التشغيل من خلال اختبارات عملية في القطاع.

    الحركة والتموضع F-712.HA1 F-712.HA2 F-712.HU1 التسامح
    (تحديد تقريبي) عدد المحاور النشطة 9 18 9 -
    (تحديد مبدئي) تكوين المحور النشط X|Y|Z|θX|θY|θZ X|Y|Z|θX|θY|θZ X|Y|Z|θX|θY|θZ -
    (تحديد مبدئي) مدى حركة المحور X 13 mm 13 mm 34 mm -
    (تحديد تقريبي) مسار المحور Y 32 mm 32 mm 32 mm -
    (تحديد مبدئي) إزاحة محور Z 17 mm 17 mm 13 mm -
    (تحديد مبدئي) أصغر إزاحة على محور X 0.1 ميكرومتر 0.1 ميكرومتر 0.1 ميكرومتر -
    (تحديد مبدئي) أصغر إزاحة على محور Y 0.1 ميكرومتر 0.1 ميكرومتر 0.1 ميكرومتر -
    (تحديد موضع تقريبي) أصغر إزاحة لمحور Z 0.1 ميكرومتر 0.1 ميكرومتر 0.05 ميكرومتر -
    (تحديد الموضع التقريبي) أقصى سرعة لمحاور X/Y/Z (دون حمل) 10 ملم/ثانية 10 ملم/ثانية 10 ملم/ثانية -
    (تحديد تقريبي) نطاق دوران θX 29° 29° 20° -
    (تحديد تقريبي) نطاق دوران θY 20° 20° 20° -
    (تحديد تقريبي) نطاق دوران θZ 20° 20° 42° -
    (تحديد دقيق) تكوين المحور النشط إكس|واي|زيت إكس|واي|زيت إكس|واي|زيت -
    (تحديد دقيق) مسار المحور X/Y/Z 100 ميكرومتر 100 ميكرومتر 100 ميكرومتر -
    (تحديد دقيق) أصغر إزاحة في حلقة مفتوحة على محاور X/Y/Z 0.3 نانومتر 0.3 نانومتر 0.3 نانومتر -
    (تحديد دقيق للموضع) أصغر إزاحة مغلقة الحلقة على محاور X/Y/Z 2.5 نانومتر 2.5 نانومتر 2.5 نانومتر -
    (التحديد الدقيق) خطأ الخطية في المدى الاسمي 2% — — max.
    (التحديد الدقيق) دقة التكرار ثنائية الاتجاه على محاور X/Y/Z (10% من المسافة المقطوعة) 2 nm 2 nm 2 nm typ.
    (تحديد دقيق) نوع المشغل بيكما بيكما بيكما -
    نوع المستشعر (تحديد الموضع الدقيق) مقياس شريطي ضوئي خطي متزايد مقياس شريطي ضوئي خطي متزايد مقياس شريطي ضوئي خطي متزايد -
    متطلبات مقياس القدرة الضوئية F-712.HA1 F-712.HA2 F-712.HU1 التسامح
    إشارة الإخراج إخراج تناظري، يُنفَّذ تحويل مثالي من الخطي إلى اللوغاريتمي. إخراج تناظري، يُنفَّذ تحويل مثالي من الخطي إلى اللوغاريتمي. إخراج تناظري، يُنفَّذ تحويل مثالي من الخطي إلى اللوغاريتمي. -
    نطاق الجهد الأقصى للإخراج من -5 إلى 5 فولت من -5 إلى 5 فولت من -5 إلى 5 فولت max.
    أقل عرض نطاق 1 kHz 1 kHz 1 kHz min.
    أقصى مستوى للضوضاء -60 ديسيبل مللي واط -60 ديسيبل مللي واط -60 ديسيبل مللي واط max.
    تعديل F-712.HA1 F-712.HA2 F-712.HU1 التسامح
    زمن المسح لمنطقة المسح الحلزوني بقطر 10 ميكرومترات < 0.2 ثانية < 0.5 ثانية < 0.2 ثانية typ.
    زمن المسح لمنطقة مسح حلزونية بقطر 100 ميكرومتر < 0.3 ثانية < 1 s < 0.3 ثانية typ.
    زمن المسح لمنطقة مسح حلزونية بقطر 500 ميكرومتر < 2 s < 5 s < 2 s typ.
    تحسين الإشارة من خلال البحث التدريجي، مع تجانس عشوائي قدره ±5 ميكرومتر (دقة التكرار أقل من 0.01 ديسيبل) 0.3 ثانية 0.3 ثانية 0.3 ثانية -

    مجموعة ملحقات اختبار الضوئيات السيليكونية

    تم تطوير حزمة تطبيقات اختبار الضوئيات السيليكونية بشكل مستقل، مع خوارزمية معايرة ذاتية، بما يتوافق مع حلول المعايرة الرائدة في الصناعة. تدعم وظائف مثل التدوير الافتراضي (PVT)، ومستشعر الارتفاع (Z sensor)، وتحريك الهيكسابود (MTR)، وتحريك النانوكوب (PZT)، بالإضافة إلى ضبط زاوية المصفوفة، والتساوي، وزاوية السقوط؛ كما تدعم خوارزمية المسح البصري المتوافقة مع معيار PI، وتتكيف مع الأجهزة ذات توزيعات مختلفة لحقل الضوء.

    يمكن تجهيزه بمصفوفة ألياف بصرية مخصّصة ذات اقتران حافة، ومجسات أخدودية تقليدية، ومصفوفة ألياف بصرية مطبوعة ثلاثية الأبعاد، كما يدعم خيار الألياف البصرية المحافظة على الاستقطاب. ويمكن أيضًا تصميم الملحقات بشكل فردي وفقًا للظروف التشغيلية الفعلية، مثل حجم مجال الوضع، ومسافة العمل، ودرجة حرارة البيئة.